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行业动态

莫大康:中国的DRAM梦初现曙光!

  中国半导体业要实现制造DRAM梦己经初现曙光,近期由台湾咨询时报报道的合肥“睿力”做19纳米DRAM引起业界的广泛兴趣。
 
  一直低调行事的合肥“睿力”DRAM项目,由前应用质料公司资深副总裁David王宁国领军。
 
  汇总消息,“睿力”做DRAM,接纳19纳米制程工艺。该项目总占地面积约1582亩, 一期总投资额约80亿美元, 一期的两层厂房预计2017年三季度完工。目前已开始下设备的PO订单,计划今年10月设备开始装置,有望2018年Q1通线试产。凭据从设备厂获得的反响是项目的技术人员比较专业,工艺设备的PO订单思路清晰,由此体现项目的技术团队人员完整,至少它们之中有部分人明白怎么做DRAM。
 
  中国半导体业要下决心攻克存储器,目前己有三家:
 
  武汉的长江存储,做32层的3D NAND ;
 
  福建晋江的晋华,利用联电的技术,做利基型DRAM,据传由32纳米启步 ;
 
  合肥的王宁国,频频易名,现在叫睿力集成(以下简称“睿力”),做19纳米的DRAM。
 
  全球DRAM的竞争态势
  众所周知,全球DRAM是三星把持。据DRAMeXchange于2017年2月的2016 Q4数据,三星依5,918M美元居首,市场份额占47.5% ;sk Hynix的 3,330M,占26.7%及Micron的 2,421M,占19.4%,Nanya的581M,占3.1%,及Winbond 的166M,占1.3%与Powerchip的102M,占0.8%。也即三大一中及二小局面,三星,海力士及美光为三大,共计占93.6%,一中为台湾地区的南亚科占3.1%,二小划分为华邦电及力晶。
 
  三星DRAM从20纳米级制程(28-25-20),转进1x纳米制程。外媒报道,三星是DRAM龙头,制程领先敌手1~2年,2016年下半年首先量产18纳米DRAM,计划今年下半年推进至15纳米。
 
  研究机构预计,今年底为止,三星计划把18纳米DRAM的生产比重,提高至30%。
 
  三星一马领先,DRAM第三大厂美光拼命追赶,计划未来两三年砸下20亿美元,研发13纳米DRAM制程。美光已于今年第一季量产18纳米DRAM。
 
  与此同时,SK海力士也准备在今年下半年量产电脑用的18纳米DRAM,接着再投入移动设备用的18纳米DRAM。
 
  SK海力士会优先提高21纳米制程良率,之后转进20纳米、再转向18纳米。SK海力士人员透露,该公司正在研发1y DRAM制程,可是还不确定量产时间。
 
  凭据科技新闻(Technews)从供应链所掌握的消息,市场原本预计,在进入 2017年第2季之后,因为有三星18纳米的PC DRAM 存储器模组与美光17纳米的 PC DRAM 存储器模组相继出货,供货急急的状况应该可以获得缓解。不料,三星继上次召回有瑕疵的18纳米制程的PC DRAM 存储器模组之后,近期再次出货的情况仍旧没有改善,还因而造成PC大厂在 DPPM (defective parts per million的缩写,是指百万分比的缺陷率)每百万台的不良率有大幅的提升。而除了三星之外,美光的17纳米制程 PC DRAM 存储器模组也碰上相类似的情况。甚至以目前出货给客户的样原来看,预计良率还低于 50% 以下。
 
  据2017年4月15日的IC Insights 预估,2017年全球 DRAM 产值可望达 573 亿美元,将较去年增长达 39%,其中的原因是DRAM 价格自 2016 年中以来快速走高。据统计,DRAM 平均售价已自 2016 年 4 月的 2.41 美元,大幅攀高到2017年 2 月的 3.7 美元,涨幅高达53.3%。
 
  韩国半导体月产能为月产350万片(8英寸计,2016年底数据),其中在DRAM方面,三星为月产40万片(12英寸计),海力士为30万片,而在NAND方面,三星为40万片及海力士为21万片,其余的为代工等产能。
 
  三星20nn DRAM工艺通过双重曝光技术、接纳蜂窝状结构,将单位密度提升了多达70%,18nm时则会进一步使用四重曝光技术(QP),每一次电路蚀刻都要进行3-4次曝光,并继续革新结构密度,整体效能可提升至少20%。
 
  近期力晶董事长黄崇仁认为,DRAM制程技术已率先进入摩尔定律极限,目前要新建一座1x纳米的DRAM厂,月产能40,000片,投资要近50亿美元,因此即便制品率抵达85%,每颗DDR4,8Gb的本钱近2美元。
 
  综上所述“睿力”的19纳米DRAM产品,己处于先进行列,与三星等的差别可能仅在一代左右。
 
  DRAM梦初现曙光
  据IC Insight数据,2014年时中国消耗DRAM为179亿美元,占全球DRAM 466亿美元的38.4%。再依IC Insight于2017年4月的最新预测,2017年全球DRAM的销售额为573亿美元,同比增长39%。
 
  因此“睿力”DRAM项目的迅速上马,在中国半导体业的生长史中具有特别重要的意义,它体现在以下方面:
  实现DRAM自主制造的另突破
  技术上先进性
  它接纳19纳米制程技术,迅速的进入全球最先进DRAM行列中。
  走在前列
  从三家中国存储器厂的进度比较,都扬言2018年要实现量产,然而无疑“睿力”是走在最前列,它将于明年Q1实现量产,由此可能使合肥将真正成为中国半导体业的重镇之一。
  可能解决15%以上的DRAM国产化率
  预测2020年销售额抵达30亿美元以上(按月产能100,000片,制品率85%,每个晶园2000-3000美元盘算,再加上封装,测试等),成为全球DRAM第四大企业,预计可能解决约15%以上的DRAM国产化率。
 
  中国的存储器业生长没有捷径,只有经受住打压,全球化的竞争之后才华泛起稳定的茁壮生长。尽管前进的路很崎岖,可是相信中国拥有全球最大的半导体市场,包括存储器等,以及生长半导体业是国策之一,因此种种看衰中国存储器业生长的言论,最终会不攻自破,无声无息。
 
  期盼“睿力”DRAM项目能够走得更稳,更快及更好。

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